本书为“中国芯片制造系列”的第二本，是一本系统地阐述碳化硅半导体材料生长和加工工艺的专著，填补了国内该领域书籍对于近期碳化硅制造工艺新技术及进展介绍的空白。本书较为全面地阐述了不同晶型的碳化硅从长晶、衬底制造、外延制造全流程的生产技术，展现了国内外碳化硅制造领域近期的发展成果，论述了碳化硅材料的热力学性质、生长原理、晶体掺杂和缺陷控制等相关基础理论，以及生长数据建模、测试表征等各方面知识，介绍了碳化硅上的氮化镓生长、碳化硅材料加工与封装关键工艺和碳化硅器件在各个领域的应用、前景及发展趋势等知识，是读者全面了解第三代半导体器件与系统的重要参考。

“中国战略性新兴产业——新材料”丛书是中国材料研究学会组织编写的，被新闻出版广电总局批准为“十二五”国家重点出版物出版规划项目，并获2016年度国家出版基金资助。丛书共16分册，涵盖了新型功能材料、高性能结构材料、高性能纤维复合材料等16种重点发展材料。本分册为《第三代半导体材料》。本书主要论述了Ⅲ族氮化物半导体材料、SiC半导体材料、宽禁带氧化物半导体材料、金刚石材料的基本理论、制备技术、相关电子器件及其发展现状和趋势，半导体照明的现状、发展趋势、竞争格局，并论述了我国第三代半导体材料产业的战略意义及发展战略。本书可供新材料科研院所、高等院校、新材料产业界、政府相关部门、新材料中介咨询机构等领域的人员参考，也可作为高等院校相关专业的大学生、研究生的教材或参考书。

全面系统地介绍了半导体芯片制造技术，内容包括半导体芯片制造概述、多晶半导体的制备、单晶半导体的制备、晶圆制备、薄膜制备、金属有机物化学气相沉积、光刻、刻蚀、掺杂及封装。书中简要介绍了半导体芯片制造的基本理论基础，系统介绍了多晶半导体、单晶半导体与晶圆的制备，详细介绍了薄膜制备、光刻与刻蚀及掺杂等工艺。由于目前光电产业的不断发展，对于化合物半导体的使用越来越多。

全面系统地介绍了半导体芯片制造技术，内容包括半导体芯片制造概述、多晶半导体的制备、单晶半导体的制备、晶圆制备、薄膜制备、金属有机物化学气相沉积、光刻、刻蚀、掺杂及封装。书中简要介绍了半导体芯片制造的基本理论基础，系统介绍了多晶半导体、单晶半导体与晶圆的制备，详细介绍了薄膜制备、光刻与刻蚀及掺杂等工艺。由于目前光电产业的不断发展，对于化合物半导体的使用越来越多。

本书着重介绍了半导体制造设备，并从实践的角度出发，选取了具有代表性的设备进行讲解。为了让读者加深对各种设备用途的理解，采用了一边阐述半导体制造工艺流程、一边说明各制造工艺中所使用的制造设备及其结构和原理的讲解方式，力求使读者能够系统性地了解整个半导体制造的体系。本书可作为从事集成电路工艺与设备方面工作的工程技术人员，以及相关研究人员的参考用书，也可作为高等院校微电子、集成电路相关专业的规划教材和教辅用书。

本书着重介绍了半导体制造设备，并从实践的角度出发，选取了具有代表性的设备进行讲解。为了让读者加深对各种设备用途的理解，采用了一边阐述半导体制造工艺流程、一边说明各制造工艺中所使用的制造设备及其结构和原理的讲解方式，力求使读者能够系统性地了解整个半导体制造的体系。本书可作为从事集成电路工艺与设备方面工作的工程技术人员，以及相关研究人员的参考用书，也可作为高等院校微电子、集成电路相关专业的规划教材和教辅用书。

本书是一本半导体工艺技术的优秀教材，并不强调很深的理论和数学知识，而是重点关注半导体关键加工技术概念的理解。全书共分15章，包括：半导体技术导论，集成电路工艺导论，半导体基础知识，晶圆制造、外延和衬底加工技术，半导体工艺中的加热工艺，光刻工艺，等离子体工艺技术，离子注入工艺，刻蚀工艺，化学气相沉积与电介质薄膜，金属化工艺，化学机械研磨工艺，半导体工艺整合，CMOS工艺演化，并在最后展望了半导体工艺发展的趋势。

《半导体制造技术导论(第2版)》共包括15章：第1章概述了半导体制造工艺；第2章介绍了基本的半导体工艺技术；第3章介绍了半导体器件、集成电路芯片，以及早期的制造工艺技术；第4章描述了晶体结构、单晶硅晶圆生长，以及硅外延技术；第5章讨论了半导体工艺中的加热过程；第6章详细介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论；第8章讨论了离子注入工艺；第9章详细介绍了刻蚀工艺；第10章介绍了基本的化学气相沉积（CVD）和电介质薄膜沉积工艺，以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、原子层沉积（ALD）工艺过程；第11章介绍了金属化工艺；第12章讨论了化学机械研磨（CMP）工艺；第13章介绍了工艺整合；第14章介绍了先进的CMOS、DRAM和NAND闪存工艺流程；第15章总结了《半导体制造技术导论(第2版)》和半导体工业未来的发展。适合作为高等院校...(展开全部)

本书是一本半导体工艺技术的优秀教材，并不强调很深的理论和数学知识，而是重点关注半导体关键加工技术概念的理解。全书共分15章，包括：半导体技术导论，集成电路工艺导论，半导体基础知识，晶圆制造、外延和衬底加工技术，半导体工艺中的加热工艺，光刻工艺，等离子体工艺技术，离子注入工艺，刻蚀工艺，化学气相沉积与电介质薄膜，金属化工艺，化学机械研磨工艺，半导体工艺整合，CMOS工艺演化，并在最后展望了半导体工艺发展的趋势。

《半导体制造技术导论(第2版)》共包括15章：第1章概述了半导体制造工艺；第2章介绍了基本的半导体工艺技术；第3章介绍了半导体器件、集成电路芯片，以及早期的制造工艺技术；第4章描述了晶体结构、单晶硅晶圆生长，以及硅外延技术；第5章讨论了半导体工艺中的加热过程；第6章详细介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论；第8章讨论了离子注入工艺；第9章详细介绍了刻蚀工艺；第10章介绍了基本的化学气相沉积（CVD）和电介质薄膜沉积工艺，以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、原子层沉积（ALD）工艺过程；第11章介绍了金属化工艺；第12章讨论了化学机械研磨（CMP）工艺；第13章介绍了工艺整合；第14章介绍了先进的CMOS、DRAM和NAND闪存工艺流程；第15章总结了《半导体制造技术导论(第2版)》和半导体工业未来的发展。适合作为高等院校...(展开全部)