《半导体器件物理》（第3版）这本经典著作在半导体器件领域已经树立起了先进的学习和参考典范。此书的第3版保留了重要半导体器件的最为详尽的知识内容，并做了更新和重新组织，反映了当今器件在概念和性能等方面的巨大进展，它可以使读者快速地了解当今半导体物理和所有主要器件，如双极、场效应、微波、光子器件和传感器的性能特点。《半导体器件物理》（第3版）专为研究生教材和参考所需设计，新版本包括：以最新进展进行了全面更新；包括了对三维MOSFET、MODFET、共振隧穿二极管、半导体传感器、量子级联激光器、单电子晶体管、实空间转移器件等新型器件的叙述；对内容进行了重新组织和安排；各章后面配备了习题；重新高质量地制作了书中的所有插图。

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本书内容包括4部分。第1部分介绍功率半导体器件的分类及发展历程，主要包括功率半导体器件这个“大家族”的主要成员及各自的特点和发展历程。第2部分介绍功率二极管，在传统的功率二极管（肖特基二极管和PiN二极管）的基础上，增加了JBS二极管和MPS二极管等新型单、双极型二极管的内容。第3部分介绍功率开关器件，主要分为传统开关器件和现代开关器件，传统开关器件以晶闸管为主，在此基础上，介绍以GTO晶闸管为主的派生器件；现代功率开关器件以功率MOSFET和IGBT为主。第4部分为功率半导体器件应用综述，以脉冲宽度调制（PWM）为例说明如何根据器件的额定电压和电路的开关频率选择适合应用的最佳器件。 本书适合电子科学、电力电子及电气传动、半导体及集成电路等专业技术人员参考，也可作为相关专业本科生及研究生教材。

本书内容包括4部分。第1部分介绍功率半导体器件的分类及发展历程，主要包括功率半导体器件这个“大家族”的主要成员及各自的特点和发展历程。第2部分介绍功率二极管，在传统的功率二极管（肖特基二极管和PiN二极管）的基础上，增加了JBS二极管和MPS二极管等新型单、双极型二极管的内容。第3部分介绍功率开关器件，主要分为传统开关器件和现代开关器件，传统开关器件以晶闸管为主，在此基础上，介绍以GTO晶闸管为主的派生器件；现代功率开关器件以功率MOSFET和IGBT为主。第4部分为功率半导体器件应用综述，以脉冲宽度调制（PWM）为例说明如何根据器件的额定电压和电路的开关频率选择适合应用的最佳器件。 本书适合电子科学、电力电子及电气传动、半导体及集成电路等专业技术人员参考，也可作为相关专业本科生及研究生教材。

本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、 固体物理、 半导体材料物理及半导体器件物理等内容， 分成三部分， 共15章。**部分为半导体材料属性， 主要讨论固体晶格结构、 量子力学、 固体量子理论、 平衡半导体、 输运现象、 半导体中的非平衡过剩载流子； 第二部分为半导体器件基础， 主要讨论pn结、 pn结二极管、 金属半导体和半导体异质结、 金属氧化物半导体场效应晶体管、 双极晶体管、 结型场效应晶体管； 第三部分为专用半导体器件， 主要介绍光器件、 半导体微波器件和功率器件等。书中既讲述了半导体基础知识， 也分析讨论了小尺寸器件物理问题， 具有一定的深度和广度。另外， 全书各章难点之后均列有例题、 自测题， 每章末尾均安排有复习要点、 重要术语解释及知识点。全书各章末尾列有习题和参考文献， 书后附有部分习题答案。

本书主要阐述了功率半导体器件封装技术的发展历程及其涉及的材料、工艺、质量控制和产品认证等方面的基本原理和方法。同时对功率半导体器件的电性能测试、失效分析、产品设计、仿真应力分析和功率模块的封装技术做了较为系统的分析和阐述，也对第三代宽禁带功率半导体器件的封装技术及应用于特殊场景（如汽车和航天领域）的功率器件封装技术及质量要求进行了综述。通过对本书的学习，读者能够了解和掌握功率半导体器件的封装技术和质量要求，由此展开并理解各种封装技术的目的、特点和应用场合，从而深刻理解功率半导体器件的封装实现过程及其重要性。 本书可作为各大专院校微电子、集成电路及半导体封装专业开设封装课程的规划教材和教辅用书，也可供工程技术人员及半导体封装从业人员参考。

本书内容包括半导体工艺及器件仿真工具Sentaurus TCAD，工艺仿真工具TSUPREM-4 及器件仿真工具MEDICI，工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD，工艺及器件仿真工具ISE-TCAD及工艺仿真工具(DIOS)的优化使用、器件仿真工具(DESSIS)的模型分析，给出ESD防护器件设计验证方法、性能评估和仿真流程及VDMOSFET和IGBT设计仿真验证方法、流程。本书侧重TCAD技术应用，设计流程均经过流片和测试验证，具有代表性和实用性。为适应教学模式改革，本书配套多媒体电子课件。

《半导体物理学》全面地论述了半导体物理的基础知识，内容包括半导体的晶格结构、半导体中的电子状态、杂质和缺陷能级、载流子的统计分布，非平衡载流子及载流子的运动规律；讨论了p—n结、异质结、金属半导体接触、表面及MIS结构等半导体表面和界面问题；介绍了半导体的光、热、磁、压阻等物理现象；最后较全面地介绍了非晶态半导体的基本特性。

《半导体物理基础》主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理；第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析；第5章结合具体的半导体材料，介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。 《半导体物理基础》对一些基本概念的讲述做到了深入浅出、便于自学，在结合具体的半导体材料讲述晶体缺陷方面做了新的尝试。《半导体物理基础》可以作为高等学校有关课程的教学参考书，也可供从事半导体技术工作的科技人员和工人阅读。

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